| 专利名称 | 利用等离子体浸没离子注入制备黑硅的方法 | 申请号 | CN201010235399.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101880914A | 公开（授权）日 | 2010.11.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 夏洋;刘邦武;李超波;刘杰;汪明刚;李勇滔 | 主分类号 | C30B33/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B33/12(2006.01)I | 专利有效期 | 利用等离子体浸没离子注入制备黑硅的方法 至利用等离子体浸没离子注入制备黑硅的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种利用等离子体浸没离子注入制备黑硅的方法，所述方法包括：将硅片放置于黑硅制备装置的注入腔室内；调整黑硅制备装置的工艺参数进入预先设置的数值范围；黑硅制备装置产生等离子体，等离子体中的反应离子注入至硅片内；反应离子与硅片发生反应，形成黑硅。采用本方法，能够在硅片上形成具有很强吸光特性、对光极其敏感的黑硅，制备效率高，成本低廉，过程控制简单方便。 |
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