| 专利名称 | 消除接触孔工艺中桥接的方法 | 申请号 | CN201110208407.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102903613A | 公开（授权）日 | 2013.01.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王桂磊;李俊峰;赵超 | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 消除接触孔工艺中桥接的方法 至消除接触孔工艺中桥接的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种消除了接触孔工艺中桥接的方法，提供了包括多步适应性保护薄膜沉积工艺的清洁菜单，在HDP?CVD设备腔室的侧壁上形成叠层适应性保护薄膜，叠层适应性保护薄膜具有良好的粘附性、致密性和均匀性，可以保护HDP?CVD设备腔室的侧壁，使其不会受到等离子体的伤害，还避免了缺陷颗粒的产生，提高了HDP?CVD工艺的技术良率，消除了接触孔工艺中的桥接现象。 |
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