| 专利名称 | 一种用于表面防护的离子束辅助磁控溅射沉积装置及方法 | 申请号 | CN200810120013.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101634012 | 公开（授权）日 | 2010.01.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 宋振纶;李金龙;孙科沸;冒守栋 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于表面防护的离子束辅助磁控溅射沉积装置及方法 至一种用于表面防护的离子束辅助磁控溅射沉积装置及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及用于表面防护的离子束辅助磁控溅射沉积装置及方法，该装置包括真空 室、磁控溅射源、工件托架和离子源，其特征在于：所述磁控溅射源安装在真空室的顶 部呈密封连接结构，磁控溅射靶通过连接轴与磁控溅射源相连，磁控溅射靶伸入真空室 内，且磁控溅射靶与连接轴之间为可转动连接，所述离子源也安装在真空室的顶部呈密 封连接结构，离子源的发射头也伸入真空室内，所述工件托架安装在真空室内的底部。 与现有技术相比，本发明的优点在于：磁控溅射靶能根据工件的大小和位置调整溅射方 向，以达到最佳的溅射的范围；本发明提供的方法，不需要采用高能离子源，而是采用 低能、大束流离子束对薄膜进行辅助沉积，可增加膜基结合力和薄膜致密度。 |
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