| 专利名称 | 一种晶体管和包括该晶体管的半导体芯片 | 申请号 | CN201190000070.7 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202749347U | 公开（授权）日 | 2013.02.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;罗军;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种晶体管和包括该晶体管的半导体芯片 至一种晶体管和包括该晶体管的半导体芯片 | 法律状态 | 说明书摘要 | 提供了一种晶体管和包括该晶体管的半导体芯片。该晶体管包括：位于半导体衬底上的有源区，位于所述有源区上的栅叠层、主侧墙和源漏区，其中所述主侧墙环绕所述栅叠层，所述源漏区嵌于所述有源区中且自对准于所述主侧墙的两侧，其特征在于，所述晶体管还包括：硅化物侧墙，所述硅化物侧墙位于所述主侧墙的两侧，并且沿所述栅堆叠的宽度方向上所述硅化物侧墙的端部之间填充有介质材料，以使得所述源漏区隔离，其中所述源漏区的表面上还包括金属硅化物层。这样减小了镍原子或者离子经由源漏延伸区进入沟道区导致晶体管失效的风险。 |
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