| 专利名称 | 一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法 | 申请号 | CN200910100140.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101599530 | 公开（授权）日 | 2009.12.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 李润伟;诸葛飞;何聪丽;刘兆平;周旭峰 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 专利有效期 | 一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法 至一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法，该存储单元包括绝缘 衬底，绝缘衬底表面设置第一电极，第一电极表面上设置具有电阻转变特性材料制成的 中间层，中间层的表面设置第二电极，其特征在于：所述中间层由氧化石墨烯薄膜形成， 中间层的厚度范围为1～200nm。与现有技术相比，本发明的优点在于：中间层不采用 氧化物材料，而是采用氧化石墨烯薄膜，这种结构的电阻型随机存储器在直流电压连续 扫描激励下表现出优异的高低阻态之间的转变和记忆特性，其高低电阻态间的差值可大 于80倍，所有器件的擦写均不需要电形成过程，这些特性表明本发明在非挥发性存储 器件领域具有潜在的应用价值。 |
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