| 专利名称 | 带有氧化物掩模的局域微缩光刻膜 | 申请号 | CN200710065294.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101286005 | 公开（授权）日 | 2008.10.15 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 刘前;曹四海;郭传飞;李晓军 | 主分类号 | G03F7/004(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/004(2006.01)I | 专利有效期 | 带有氧化物掩模的局域微缩光刻膜 至带有氧化物掩模的局域微缩光刻膜 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种带有氧化物掩模的局域微缩光刻膜，包括基底，和依次沉积在基底上的 第一保护层、氧化物掩模层、第二保护层、第一金属薄膜和第二金属薄膜；所述的第一金属 薄膜和第二金属薄膜，是两种金属在相对较低温度≤500℃下，能形成二元合金的材料的组合； 所述的第一保护层厚度为100nm-200nm，所述的掩模层厚度为2nm-30nm，所述的第二保护 层厚度为10nm-50nm。本发明的带有氧化物掩模的局域微缩光刻膜，采用超分辨近场结构和 无机热阻膜结合的多层膜结构。在微纳米加工过程中，采用此多层膜结构制作光刻原片，利 用普通曝光系统或直写式曝光系统实现曝光，能够简单获得高分辨率的曝光图形。能够在简 单地获得高分辨率曝光图形的同时，有效增加纳米构造的高度。 |
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