| 专利名称 | 具单胞失效自防护功能的多胞连接大功率光电器件 | 申请号 | CN200910027433.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101645441 | 公开（授权）日 | 2010.02.10 | 申请（专利权）人 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 蔡勇 | 主分类号 | H01L25/075(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L25/075(2006.01)I;H01S3/23(2006.01)I;H01L23/62(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I | 专利有效期 | 具单胞失效自防护功能的多胞连接大功率光电器件 至具单胞失效自防护功能的多胞连接大功率光电器件 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种具单胞失效自防护功能的多胞连接大功率光电器件，涉 及半导体光电领域。该光电器件的芯片被分隔成至少2个单胞，每个单胞的阳 极引线、阴极引线与对应极性的总引出电极相连，其特征在于：每个单胞与总 引出电极之间的电极引线中串接至少一个可熔断电阻，所述可熔断电阻是指由 电流热效应引起的温度升高达到并超过自身熔点，熔断造成电学隔离的电阻。 本发明通过在单胞与总引出电极之间串接入可熔断电阻，对光电器件内任一单 胞的异常短路失效能够快速、及时地做出电学隔离反应，消除了单胞失效对器 件其他部分的影响，提高了光电器件的整体稳定性和可靠性。 |
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