| 专利名称 | 一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法 | 申请号 | CN200710074296.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101299411 | 公开（授权）日 | 2008.11.05 | 申请（专利权）人 | 深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 彭本贤;俞挺;于峰崎 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法 至一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方 法，其包含步骤：利用氖离子二次不同能量大束流低温注入，高温退火后 在有源区下面形成空洞层；去除浅槽隔离(STI)上的氮化硅侧墙，用常规 CMOS工艺制作MOSFET器件。本发明所提供的一种SON型金属氧化物 半导体场效应管器件的制备方法，由于采用了低剂量氖(Ne)离子注入， 能产生更高密度的气泡，并采取两次不同能量低温注入形成两层气泡带， 高温退火后这两层气泡带相互作用合并成为高致密度单层空洞，由此形成 带有散热通道的超浅结SON器件结构，其工艺简单，成本低廉，其大部分 步骤采用常规CMOS工艺完成，便于大规模集成电路工业生产，并且降低 了生产成本。 |
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