| 专利名称 | 一种在线检测硅纳米晶形态的方法 | 申请号 | CN200910078556.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101813624A | 公开（授权）日 | 2010.08.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘明;王永;王琴;杨潇楠 | 主分类号 | G01N21/55(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/55(2006.01)I | 专利有效期 | 一种在线检测硅纳米晶形态的方法 至一种在线检测硅纳米晶形态的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种在线检测硅纳米晶形态的方法，包括：准备若干片硅片作为衬底，在该各衬底表面分别生长一隧穿介质层；用稀释氢氟酸处理衬底表面，再在该各衬底表面分别生长一层硅纳米晶；利用波长为365nm的单色光作为入射光入射至各衬底表面，由于表面材料和形貌的不同，反射光强必然会发生变化，记录各种生长时间的纳米晶硅片的反射率，建立生长时间与反射率之间的关系式；将以上各种硅片用扫描电镜和透射电镜进行破片分析，确定不同生长时间纳米晶的形态，建立不同纳米晶形态与生长时间的关系式；将纳米晶不同形态与反射率对应起来，建立相应的关系式，从而根据反射率来确定生长的纳米晶形态。利用本发明，实现了对硅纳米晶形态的在线快速检测。 |
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