| 专利名称 | 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 | 申请号 | CN201010145087.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101812725A | 公开（授权）日 | 2010.08.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王兵;李志聪;王国宏;闫发旺;姚然;王军喜;李晋闽 | 主分类号 | C30B25/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/02(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 专利有效期 | 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 至一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法，包括：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上采用金属有机化合物气相沉积法生长氮化镓成核层，该氮化镓成核层为相变缓冲层；步骤3：在氮化镓成核层上生长非有意掺杂氮化镓层，该非有意掺杂氮化镓层为高结晶质量氮化镓层，完成生长制备。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障