| 专利名称 | 基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法及其装置 | 申请号 | CN201010152392.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101812723A | 公开（授权）日 | 2010.08.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 陈博源;陈之战;施尔畏;严成锋;肖兵 | 主分类号 | C30B23/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 专利有效期 | 基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法及其装置 至基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法及其装置 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法及其装置。本发明的基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法中，籽晶位于坩埚底部，且位于低温区，原料位于坩埚顶部，且位于高温区；生长过程中籽晶放置在坩埚底部，不需粘贴或固定籽晶至坩埚盖上。本发明具有如下特点：使用碳化硅多晶晶锭作为原料，并固定在坩埚顶部。采用本方法及装置，可以有效地避免由于籽晶粘贴或固定不当，导致生长过程中籽晶脱落或者生长得到的晶体应力过大，同时，由于采用多晶晶锭作为原料，气相组分在生长腔内分布更加均匀，生长得到的晶体均匀性更好，生长重复性更高。 |
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