| 专利名称 | 基于金诱导非晶硅结晶的低温键合方法 | 申请号 | CN201110298262.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102485639A | 公开（授权）日 | 2012.06.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 熊斌;刘米丰;王跃林;徐德辉 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 基于金诱导非晶硅结晶的低温键合方法 至基于金诱导非晶硅结晶的低温键合方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种基于金诱导非晶硅结晶的低温键合方法，首先在上基板的键合面上制备出氧化硅层，在氧化硅层上依次蒸发或溅射出钛、金膜，并去除非键合区域的钛、金膜；其次在下基板的键合面上制备出氧化硅层及非晶硅层，在非晶硅层上依次蒸发或溅射钛、金膜，并去除非键合区域的所述非晶硅层、及钛、金膜；然后，将上、下基板的键合面对准并贴合后，送入键合机，升温至250~300℃，并施加0.2~0.4MPa的压力，冷却到室温；最后，将从键合机取出的键合至一起的上、下基板送入退火炉，退火3~12小时，冷却到室温，完成金诱导非晶硅结晶的低温键合。本发明的低温键合方法不仅适用于硅圆片的键合，还可以用于非硅圆片的键合，并且由于低温的特性，具有很广的应用范围。 |
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