| 专利名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201010572608.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102487014A | 公开（授权）日 | 2012.06.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;罗军;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构及其制造方法 至一种半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供衬底，并且在衬底上形成伪栅堆叠、附着于所述伪栅堆叠侧壁的侧墙、以及位于伪栅堆叠两侧的源/漏区，其中伪栅堆叠包括伪栅极；在源/漏区表面形成第一接触层；形成覆盖第一接触层的层间介质层；去除伪栅极或伪栅堆叠以形成开口，在开口内填充第一导电材料或者填充栅介质层和第一导电材料，以形成栅堆叠结构；在层间介质层中形成接触孔，接触孔暴露第一接触层或者第一接触层和源/漏区的部分区域；在部分区域表面形成第二接触层；在接触孔中填充第二导电材料，形成接触塞。以及，一种半导体器件。利于降低接触电阻。 |
1、源头对接，价格透明
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