| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201010571659.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102479818A | 公开（授权）日 | 2012.05.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 罗军;赵超 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体器件，包括衬底、位于衬底中的沟道区、位于沟道区两侧的源漏区、位于沟道区上的栅极结构、位于栅极结构周围的栅极侧墙，其特征在于：源漏区由外延生长的超薄金属硅化物构成，源漏区与沟道区的界面处具有掺杂离子的分离凝结区。依照本发明的半导体器件及其制造方法，可降低短沟道外延生长的超薄金属硅化物源漏MOSFET的肖特基势垒高度，从而提高器件驱动能力。 |
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