| 专利名称 | 沟槽隔离结构及其形成方法 | 申请号 | CN201010557395.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102479738A | 公开（授权）日 | 2012.05.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;赵超;梁擎擎 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 沟槽隔离结构及其形成方法 至沟槽隔离结构及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种沟槽隔离结构及其形成方法，所述沟槽隔离结构包括：半导体基底；沟槽，形成于所述半导体基底的表面上，其中填充有介质层，所述介质层的材料为晶体材料。本发明利于减小边沟的尺寸，改善半导体器件性能的影响。 |
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