| 专利名称 | 半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201010574357.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102479822A | 公开（授权）日 | 2012.05.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体结构及其制造方法 至半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体结构及其制造方法。本发明的半导体结构采用共用接触，即源区接触或漏区接触，利用源区或漏区与背栅区间的电容耦合来调节阈值电压，简化了制作工艺程序，能够提高集成度、降低生产成本。此外，非对称背栅结构设计，以及根据需要改变背栅区掺杂类型能够进一步提高阈值电压调节效果，改善器件性能。 |
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