| 专利名称 | 一种在转接板上实现电绝缘的方法 | 申请号 | CN201110427183.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102496579A | 公开（授权）日 | 2012.06.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 戴风伟;于大全;周静 | 主分类号 | H01L21/48(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/48(2006.01)I | 专利有效期 | 一种在转接板上实现电绝缘的方法 至一种在转接板上实现电绝缘的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开一种完全绝缘、工艺简单的在含有TSV的转接板上制作金属再布线层时实现电绝缘的方法，首先采用湿法刻蚀的方式用碱性腐蚀溶液反向刻蚀硅基底，在TSV周围形成沟槽，选用碱性腐蚀溶液既可以刻蚀硅基底又能避免TSV中金属材料的腐蚀。然后在沟槽内制作绝缘材料，再在绝缘材料上方制作金属再布线层，完成金属化步骤，避免了开小孔方式，解决了可靠性差的问题，又实现了制作金属再布线层时的电绝缘。 |
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