| 专利名称 | 一种有机场效应晶体管的制作方法 | 申请号 | CN201210406370.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102903850A | 公开（授权）日 | 2013.01.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 胡文平;纪德洋;江浪;董焕丽 | 主分类号 | H01L51/40(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/40(2006.01)I | 专利有效期 | 一种有机场效应晶体管的制作方法 至一种有机场效应晶体管的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种有机场效应晶体管的制作方法。该方法包括如下步骤：（1）清洗表面设有栅电极的基底；（2）在所述栅电极上沉积聚合物绝缘层；所述聚合物绝缘层为聚苯乙烯绝缘层或聚甲基丙烯酸甲酯绝缘层；（3）在所述聚合物绝缘层上悬涂光刻胶，然后置于光刻掩膜板下进行曝光和显影，得到图案化的源漏电极；然后再置于紫外光下进行再次曝光；再继续蒸镀金膜，然后再显影液处理后得到源漏电极；（4）在得到的源漏电极上蒸镀有机半导体层即得到有机场效应晶体管。本发明具有以下有益效果：1、本方法可以在处理温度低（50℃）的绝缘层上进行光刻。2、采用二次曝光的方法，巧妙的避开了丙酮对于绝缘层的影响。 |
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