| 专利名称 | 半导体发光器件及其制造方法 | 申请号 | CN201210375368.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102891232A | 公开（授权）日 | 2013.01.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 郭恩卿;伊晓燕;王国宏;刘志强 | 主分类号 | H01L33/14(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 半导体发光器件及其制造方法 至半导体发光器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。该半导体发光器件，包括：第二电极；第一掺杂类型的第一半导体层，与第二电极电性连接；有源层，形成于第一半导体层上；第二掺杂类型的第二半导体层，形成于有源层上；第一掺杂类型的第一简并半导体层，形成于第二半导体层上；第二掺杂类型的第二简并半导体层，形成于第一简并半导体层上；第一电极，与第二简并半导体层电性连接。本发明通过在半导体发光器件插入正偏的隧穿pn结，大幅增强功率型半导体发光器件的电流分布均匀性，解决电流集边效益。 |
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