| 专利名称 | 一种避免寄生电容结构的微加速度传感器及其制作方法 | 申请号 | CN201210418322.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102928623A | 公开（授权）日 | 2013.02.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 车录锋;李伟;苏荣涛;王跃林 | 主分类号 | G01P15/125(2006.01)I | IPC主分类号 | G01P15/125(2006.01)I | 专利有效期 | 一种避免寄生电容结构的微加速度传感器及其制作方法 至一种避免寄生电容结构的微加速度传感器及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种避免寄生电容结构的微加速度传感器，包括上电极盖板、下电极盖板和质量块，所述上电极盖板和下电极盖板分别位于质量块的上端和下端，所述质量块的上表面具有上电容间隙，下表面具有下电容间隙；所述上电极盖板的下表面和下电极盖板的上表面均设有用于实现上电极焊盘、中间电极焊盘和下电极焊盘之间绝缘的隔离槽。本发明易于制作，工作性能稳定，用途广泛。 |
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