| 专利名称 | 纳米流体二极管及其制造方法 | 申请号 | CN201210415048.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102923635A | 公开（授权）日 | 2013.02.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 弓晓晶;刘磊;邱永鑫;王子武;张锦平;王建峰;徐科 | 主分类号 | B81B1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81B1/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 纳米流体二极管及其制造方法 至纳米流体二极管及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种纳米流体二极管，包括支撑衬底、氧化物掩膜层以及纳米孔道；所述氧化物掩膜层覆盖于支撑衬底表面；在沿垂直支撑衬底与氧化物掩膜层接触面的方向，所述纳米孔道贯穿所述支撑衬底；所述纳米孔道表面具有一覆盖层，所述覆盖层与支撑衬底由不同的材料构成，利用支撑衬底与覆盖层异质结构界面中二维电子气形成的电荷分布，在覆盖层表面具有正电荷聚集；所述氧化物掩膜层具有一通孔，所述通孔贯穿所述氧化物掩膜层并与纳米孔道相通，所述氧化物掩膜层的通孔表面具有负电荷聚集。本发明纳米流体二极管及其制造方法制备工艺简单、易形成PN接触。 |
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