| 专利名称 | 水冷却平板层状CuCrZr/OFHC-Cu/CVD-W面向等离子体部件及其制作方法 | 申请号 | CN201210260306.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102922815A | 公开（授权）日 | 2013.02.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 发明（设计）人 | 赵四祥;谢春意;徐跃;罗广南 | 主分类号 | B32B15/01(2006.01)I | IPC主分类号 | B32B15/01(2006.01)I;B32B15/20(2006.01)I;C25D3/38(2006.01)I;C23C16/06(2006.01)I;C23C28/02(2006.01)I | 专利有效期 | 水冷却平板层状CuCrZr/OFHC-Cu/CVD-W面向等离子体部件及其制作方法 至水冷却平板层状CuCrZr/OFHC-Cu/CVD-W面向等离子体部件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种水冷却平板层状CuCrZr/OFHC-Cu/CVD-W面向等离子体部件及其制作方法，包括有三层结构，三层结构自下至上依次为热沉、适配层、面向等离子体材料，热沉采用沉淀硬化的CuCrZr合金材料，适配层采用厚度为1-3?mm低氧含量高纯软铜材料OFHC-Cu，面向等离子体材料采用厚度为1-4?mm的化学气相沉积钨涂层CVD-W，OFHC-Cu表面预毛化处理提高结合强度，热沉中开有通孔作为冷却水通道，冷却水通道中通有循环水。本发明提出的是一种低成本、高冷却效率和可靠性强的PFC方案，可应用于聚变装置中正常运行时热负荷相对较低（稳态热流＜5?MW/m2）的面向等离子体区域。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障