等离子体浸没注入机的注入离子剂量检测控制装置

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专利名称 等离子体浸没注入机的注入离子剂量检测控制装置 申请号 CN201020293992.9 专利类型 实用新型 公开(公告)号 CN201741661U 公开(授权)日 2011.02.09 申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 汪明刚;刘杰;夏洋;李超波;陈瑶;赵丽莉;李勇滔 主分类号 H01J37/32(2006.01)I IPC主分类号 H01J37/32(2006.01)I 专利有效期 等离子体浸没注入机的注入离子剂量检测控制装置 至等离子体浸没注入机的注入离子剂量检测控制装置 法律状态 说明书摘要 本实用新型公开了一种等离子体浸没注入机的注入离子剂量检测控制装置,属于微电子技术领域。所述装置包括用于诊断等离子体离子密度、电子密度、等离子体电势与等离子体电子温度等特性参数的诊断单元;用于获得等离子体中粒子组分和各组分粒子含量的分析单元;用于根据等离子体特性参数以及等离子体中粒子组分和所述各组分粒子含量,计算得出注入工艺参数的计算单元;以及用于根据计算单元的输出信号以及注入工艺参数控制等离子体浸没注入机的注入工艺的控制单元。本实用新型的等离子体浸没注入机的注入离子剂量检测控制装置可以克服现有的离子注入剂量检测中存在多种带电离子检测的问题;同时还可以用于准确控制离子注入的工艺流程。

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