| 专利名称 | 用于Nb3Sn超导线圈真空浸渍的装置及其浸渍方法 | 申请号 | CN201010281952.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101982862A | 公开（授权）日 | 2011.03.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 程军胜;宋守森;王秋良;戴银明 | 主分类号 | H01F41/04(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F41/04(2006.01)I;H01F41/12(2006.01)I;B29C70/44(2006.01)I | 专利有效期 | 用于Nb3Sn超导线圈真空浸渍的装置及其浸渍方法 至用于Nb3Sn超导线圈真空浸渍的装置及其浸渍方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种Nb3Sn超导线圈真空浸渍的装置及其浸渍方法，应至少包括有线圈骨架(1)、内孔封盖(4)、浸渍桶体(2)、浸渍桶端板(3)。真空浸渍装置的构成是：将线圈骨架的直径较小的一侧端板与内孔封盖密封连接，将线圈骨架的直径较大的一侧端板与浸渍桶体的一端密封连接，将浸渍桶体的另一端与浸渍桶端板密封连接，共同组成封闭的真空浸渍装置。浸渍桶端板(3)上至少安装有：环氧树脂灌充口(10)，充放气口(9)、正负气压表(6)、电流引线柱(8)、温度计(7)、观察窗(5)。 |
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