| 专利名称 | 一种减反射薄膜SiNx:H表面原位NH3等离子体处理方法 | 申请号 | CN201010231360.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101956180A | 公开（授权）日 | 2011.01.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 周春兰;李涛;王文静 | 主分类号 | C23C16/44(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/44(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I | 专利有效期 | 一种减反射薄膜SiNx:H表面原位NH3等离子体处理方法 至一种减反射薄膜SiNx:H表面原位NH3等离子体处理方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种减反射薄膜SiNx:H表面原位NH3等离子体处理方法，其特征在于，首先用常规等离子体增强化学气相方法在晶体硅太阳电池的硅衬底表面沉积SiNx:H减发射薄膜，然后在原位先用N2等离子体进行表面物理轰击，时间为10-15秒，以去除SiNx:H薄膜键合较弱的-N(-NH2，-NH)和打断Si-H键得到未成键的Si+，接着用NH3或者NH3和N2混合等离子体进行表面处理，时间为10-20秒，使氮化硅薄膜中的未成键的Si+与N+键合形成Si-N键。所述的SiNx:H薄膜是构成太阳电池表面减反射层的一部分。 |
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