| 专利名称 | 一种银纳米超结构阵列及其制备方法和用途 | 申请号 | CN201010171537.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102233424A | 公开（授权）日 | 2011.11.09 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 李超;唐智勇 | 主分类号 | B22F1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B22F1/00(2006.01)I;B22F9/24(2006.01)I | 专利有效期 | 一种银纳米超结构阵列及其制备方法和用途 至一种银纳米超结构阵列及其制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种银纳米超结构阵列，其中，所述的银纳米超结构阵列为基底表面上的银纳米超结构阵列。本发明另一方面还提供了一种本发明银纳米超结构阵列的制备方法，该方法为：将图案化的硅片置于pH10.0-11.0的银离子-半胱氨酸络合溶液中，接着在4-45℃培养1-3天，得到所述的银纳米超结构阵列。本发明还提供了所述的银纳米超结构阵列在表面增强拉曼光谱检测和在太阳能电池中的用途。本发明制备得到的银纳米超结构阵列具有高灵敏和高均一的SERS检测效果。 |
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