| 专利名称 | 等离子体浸没离子注入设备 | 申请号 | CN201020238000.2 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN201785482U | 公开（授权）日 | 2011.04.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘杰;汪明刚;夏洋;李超波;罗威;罗小晨;李勇滔 | 主分类号 | C23C14/48(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/48(2006.01)I | 专利有效期 | 等离子体浸没离子注入设备 至等离子体浸没离子注入设备 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开一种等离子体浸没离子注入设备，包括离子注入腔室、电源部分、注入电极部分和真空部分，所述离子注入腔室内四壁设有可拆卸内衬；所述内衬包括顶部内衬、两侧壁内衬和底部内衬，所述底部内衬设置在所述离子注入腔室底部，所述侧壁内衬设置在所述底部内衬之上，所述顶部内衬可设置在所述侧壁内衬之上。通过本实用新型既实现了等离子体浸没离子注入腔室内衬的轻松拆卸，方便一段时间的注入后腔室内衬的清洗；又实现了腔室内壁与浸没离子注入时等离子体的隔离，从而减小等离子体浸没离子注入时腔室内壁的污染；同时还使进入到反应腔室内的气体分布比较均匀，减小注入基片台的边缘效应，从而提高等离子体浸没离子注入的均匀性。 |
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