| 专利名称 | 一种用于氮化碳薄膜制备的化学吸附方法 | 申请号 | CN201010560898.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102011103A | 公开（授权）日 | 2011.04.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 | 发明（设计）人 | 刘键;饶志鹏;夏洋;石莎莉 | 主分类号 | C23C16/36(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/36(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于氮化碳薄膜制备的化学吸附方法 至一种用于氮化碳薄膜制备的化学吸附方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及氮化碳的制备技术，具体涉及一种用于氮化碳薄膜制备的化学吸附方法，包括如下步骤：在原子层沉积腔室中，通入气相前驱体，形成一种具有未成键电子的物质，与衬底表面原子形成共价键，实现化学吸附；通入与衬底表面发生取代反应的气体，形成所需的sp3杂化的氮碳单键结构。本发明应用于原子层沉积技术制备氮化碳薄膜，使用该方法形成的结构能够利用每一层间的相互作用，实现结构上的一致性、单晶性。 |
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