| 专利名称 | 一种CMOS集成电路抗单粒子辐照加固电路 | 申请号 | CN200910244523.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102117797A | 公开（授权）日 | 2011.07.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 毕津顺;海潮和;韩郑生;罗家俊 | 主分类号 | H01L23/552(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/552(2006.01)I | 专利有效期 | 一种CMOS集成电路抗单粒子辐照加固电路 至一种CMOS集成电路抗单粒子辐照加固电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种CMOS集成电路抗单粒子辐照加固电路，该电路包括一个容易发生单粒子翻转的逻辑门电路(100)和一个冗余逻辑门电路(101)，逻辑门电路(100)和冗余逻辑门电路(101)共用一个输入端，逻辑门电路(100)的输出端与冗余逻辑门电路(101)的输出端之间连接有第一二极管(102)和第二二极管(103)，且第一二极管(102)和第二二极管(103)的导通方向相反。本发明提供的CMOS集成电路抗单粒子辐照加固电路，对CMOS集成电路中敏感的逻辑门电路进行抗辐照加固，在集成电路面积和速度之间折中，明显提高了CMOS集成电路抗单粒子翻转的水平。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障