| 专利名称 | 共用金属层的肖特基二极管和相变存储器及其制造方法 | 申请号 | CN201010138167.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101826463A | 公开（授权）日 | 2010.09.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;龚岳峰;刘波;李宜瑾;张挺;凌云 | 主分类号 | H01L21/329(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/329(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 共用金属层的肖特基二极管和相变存储器及其制造方法 至共用金属层的肖特基二极管和相变存储器及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供的共用金属层的肖特基二极管和相变存储阵列的制造方法在制造形成肖特基二极管结构后，以肖特基二极管的金属层作为相变存储器的下电极，在其金属层上继续沉积不具有下电极的相变存储器结构，由此实现肖特基二极管和相变存储器的金属层共享，通过这种驱动二极管和相变存储器共用金属层的结构，可以有较少的工艺步骤制造了二极管和相变存储器阵列，有效节省了光刻次数，提高器件稳定性，通过采用特定的半导体，使得电极金属和半导体层之间形成稳定的肖特基接触。作为本发明的一部分，还包括采用前述方法所形成的肖特基二极管和相变存储器的共用金属层的结构。 |
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