| 专利名称 | 一种复合式磁控溅射阴极 | 申请号 | CN201110379503.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102420091A | 公开（授权）日 | 2012.04.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 邱清泉;丁发柱;戴少涛;张志丰;古宏伟 | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J37/32(2006.01)I | 专利有效期 | 一种复合式磁控溅射阴极 至一种复合式磁控溅射阴极 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种复合式磁控溅射阴极，由平面靶材(1)、水冷背板(2)、外永磁体(3、4)、内永磁体(5、6)、外电磁线圈(7、8)、内电磁线圈(9、10)、外磁轭(11、12)、内磁轭(13、14)、底磁轭(15)和框架(16)构成。外永磁体(3、4)的极性相同，内永磁体(5、6)的极性相同，外永磁体和内永磁体的极性相反。两个外电磁线圈(7、8)构成一闭合线圈，两个内电磁线圈(9、10)构成一闭合线圈，外电磁线圈和内电磁线圈通过引线分别连接到供电电源。通过调节外电磁线圈和内电磁线圈通电电流的大小和方向，实现磁控溅射阴极磁场强度和磁场分布形状的变化，从而调节溅射速率、磁场平衡度和靶材利用率。 |
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