| 专利名称 | 一种闪存器件及其形成方法 | 申请号 | CN201010296053.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102420232A | 公开（授权）日 | 2012.04.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 专利有效期 | 一种闪存器件及其形成方法 至一种闪存器件及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种FinFET闪存器件及其形成方法。闪存器件位于绝缘层之上，包括：第一鳍片和第二鳍片，其中所述第二鳍片为所述器件的控制栅；栅介质层，位于所述第一鳍片和第二鳍片的侧壁和顶部；浮栅，位于所述栅介质层上且横跨所述第一鳍片和第二鳍片；源/漏区，位于所述浮栅两侧的所述第一鳍片内。采用本发明，可以实现与FinFET器件的完全兼容，同时能够降低制造成本。 |
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