| 专利名称 | 一种鳍型场效应晶体管的制备方法 | 申请号 | CN201110046786.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102651320A | 公开（授权）日 | 2012.08.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 周华杰;徐秋霞;宋毅 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种鳍型场效应晶体管的制备方法 至一种鳍型场效应晶体管的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种鳍型场效应晶体管的制造方法，包括：在半导体衬底上形成Ω形鳍片；在所述Ω形鳍片的顶部及侧面形成栅堆叠结构；在所述栅堆叠结构两侧的Ω形鳍片中形成源/漏结构；金属化。其中，除所述Ω形鳍片底部通过较窄的硅条与半导体衬底相连以外，其余栅堆叠结构部分与半导体衬底之间通过隔离介质层隔离开。本发明消除了SOI器件存在的自加热效应和浮体效应，具有更低的成本；克服了一般体硅鳍型场效应晶体管(Bulk?FinFET)泄漏电流大的缺点，具有更好的短沟道效应(SCE)特性；与CMOS平面工艺的良好兼容，易于集成。 |
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