| 专利名称 | 薄膜光伏电池及其制造方法 | 申请号 | CN200910108711.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101944541A | 公开（授权）日 | 2011.01.12 | 申请（专利权）人 | 深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 宋秋明;肖旭东;强骥鹏;施成营;刘壮;陈旺寿 | 主分类号 | H01L31/042(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 薄膜光伏电池及其制造方法 至薄膜光伏电池及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种薄膜光伏电池及其制造方法。所述薄膜光伏电池包括衬底、电极层、p型吸收层、n型缓冲层、高阻层、窗口层；所述衬底、电极层、p型吸收层、n型缓冲层、高阻层、窗口层按着从下到上的顺序层叠设置；所述窗口层是近红外波段低吸收高电导ZnO基透明导电窗口层；所述薄膜光伏电池采用陷光结构。所述薄膜光伏电池的制造方法包括：提供衬底；沉积电极层；沉积p型吸收层；沉积n型缓冲层；沉积高阻层；沉积近红外低吸收ZnO基窗口层；形成陷光结构。所述薄膜光伏电池的吸收层厚度较小，并且有效光利用率较高。 |
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