| 专利名称 | 一种高速单光子探测方法与探测器 | 申请号 | CN200810020177.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101545810 | 公开（授权）日 | 2009.09.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 韩正甫;刘云;郭光灿 | 主分类号 | G01J11/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01J11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高速单光子探测方法与探测器 至一种高速单光子探测方法与探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出了一种高速单光子探测方法与探测器，在已有雪崩光电二极管 APD单光子探测原理和探测器的基础上，增加一束辅助泵浦光子直接照射在 APD上，将在耗尽层中被俘获的载流子激发到导带，从而在最短的时间内将俘 获中心倒空，使得后脉冲效应迅速降低，从而实现了高速单光子探测的目的。 互换泵浦光子和待测光子的波长，本发明还实现了对应于俘获中心能级深度的 长波单光子探测器。 |
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