| 专利名称 | 用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法 | 申请号 | CN201110049791.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102142657A | 公开（授权）日 | 2011.08.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 陈微;周文君;刘安金;付非亚;张建心;渠红伟;郑婉华 | 主分类号 | H01S5/22(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/22(2006.01)I | 专利有效期 | 用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法 至用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法 | 法律状态 | 著录事项变更 | 说明书摘要 | 一种用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上依次生长下限制层、有源区和上限制层，形成横向波导结构；步骤3：采用感应耦合等离子体刻蚀的方法对上限制层进行刻蚀，在上限制层上形成周期性的条状结构，该条状结构的一部分为条状电流注入区，其余部分为光场调制区，结合这两个区便能实现侧向模式的调控；步骤4：在条状电流注入区的上面制作电极实现电流的选择性注入；步骤5：将衬底减薄，改善电流注入特性；步骤6：在衬底的背面制作背面电极，完成器件的制作。 |
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