| 专利名称 | 一种MOS场效应晶体管 | 申请号 | CN201010102696.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102142458A | 公开（授权）日 | 2011.08.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 陈大鹏;梁擎擎 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I | 专利有效期 | 一种MOS场效应晶体管 至一种MOS场效应晶体管 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出一种MOS场效应晶体管，包括：衬底；形成在所述衬底中的源极和漏极；和形成在所述衬底之上且位于所述源极和所述漏极之间的栅堆叠，其中，栅介质层采用可变K值介质材料。本发明实施例将可变K值介质材料运用于CMOS器件的栅介质层，通过动态地获得高K值的方法增加栅电容，提高CMOS器件控制短沟道效应能力和开关速度。 |
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