| 专利名称 | 利用金属化合物的电泳沉积图案进行光刻的方法 | 申请号 | CN201010104413.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102142362A | 公开（授权）日 | 2011.08.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 吴紫阳;杨恒;李昕欣;王跃林 | 主分类号 | H01L21/033(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/033(2006.01)I | 专利有效期 | 利用金属化合物的电泳沉积图案进行光刻的方法 至利用金属化合物的电泳沉积图案进行光刻的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种利用金属化合物的电泳沉积图案进行光刻的方法，首先在待进行光刻的半导体材料结构上制备金属薄膜，然后将两片沉积有金属薄膜的半导体材料结构相对固定在预设浓度的金属化合物胶粒溶液中，并将两者分别连接到电源的正负两极，以使所述金属化合物胶粒在所述半导体材料结构上发生单层电泳沉积，进而形成纳米沉积胶粒图案，再将该半导体材料结构自金属化合物胶粒溶液中取出去除水分后，进行干法刻蚀以在半导体材料结构表面形成纳米颗粒图形，最后将刻蚀后的半导体材料结构湿法化学腐蚀以去除沉积胶粒以及其下的各无需材料层，以形成纳米岛图形，此工艺过程简单，成本低廉、参数可控、环境友好、且去除方便。 |
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