| 专利名称 | 一种半导体器件的制造方法 | 申请号 | CN201010104991.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102142373A | 公开（授权）日 | 2011.08.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件的制造方法 至一种半导体器件的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种半导体器件的制造方法，所述方法在栅极替代工艺(Replacementgate或Gate?last)制备CMOS晶体管过程中，在去除伪栅堆叠后，在去除伪栅堆叠形成的第一开口内形成L形侧墙以及其上的第二侧墙或L形侧墙，来重新定义替代栅的尺寸，起到调节替代栅堆叠与源/漏区域以及源/漏延伸区重叠电容的作用；而后通过在替代栅堆叠中的栅电极的侧壁形成替代侧墙，进一步减小侧墙与源/漏区域以及源/漏延伸区的重叠电容，进而减小器件整体的重叠电容，此外，以较易实现的工艺方法得到更小器件尺寸的器件。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障