| 专利名称 | 改进的电化学沉积工艺制备单一c轴取向氧化锌薄膜方法 | 申请号 | CN200710044966.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101113533 | 公开（授权）日 | 2008.01.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 高相东;彭芳;李效民;于伟东 | 主分类号 | C30B30/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B30/02(2006.01)I | 专利有效期 | 改进的电化学沉积工艺制备单一c轴取向氧化锌薄膜方法 至改进的电化学沉积工艺制备单一c轴取向氧化锌薄膜方法 | 法律状态 | 专利实施许可合同备案的生效、变更及注销 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种改进的电化学沉积工艺制备单一c轴取向ZnO薄膜方 法，其特征在于采用电化学预处理过程与恒电流沉积相结合的方法，在经预 处理的衬底表面形成一晶柱尺寸小的ZnO籽晶层，使后续沉积ZnO薄膜具 有单一c轴生长特性。具体包括电沉积前驱液的制备、衬底清洗处理以及薄 膜生长三大步，最后薄膜生长采用电化学沉积系统。所制备的ZnO膜层具 有单一c轴取向，结晶程度高，而且在可见光区具有很高的透过率，可用作 薄膜太阳电池的窗口层、以及压电、光电、气敏等多种领域。本方法成本低 廉，无需真空环境或使用有机物和高温加热设备，适合于大面积、规模化薄 膜材料制备。 |
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