| 专利名称 | 在单硅片上单面微加工制作的悬臂梁加速度传感器及方法 | 申请号 | CN201010240609.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101968495A | 公开（授权）日 | 2011.02.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李昕欣;王家畴 | 主分类号 | G01P15/12(2006.01)I | IPC主分类号 | G01P15/12(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 在单硅片上单面微加工制作的悬臂梁加速度传感器及方法 至在单硅片上单面微加工制作的悬臂梁加速度传感器及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种在单硅片上单面微加工制作的悬臂梁加速度传感器及制作方法。其特征在于所述加速度计由单硅片通过体微机械单面加工而成，避免了多个芯片键合工艺和不同材料带来的应力。为实现单面加工悬臂梁敏感结构，在结构深刻蚀后利用各向异性腐蚀方法，在悬臂梁底部横向刻蚀将悬臂梁结构释放。该结构除提供敏感方向上的空气压膜阻尼和机械过载保护外，还解决了以往结构在垂直敏感方向没有空气压膜阻尼的问题，避免了垂直方向因结构共振引起的寄生信号干扰。本发明特别适合高g值测量，具有结构简单，芯片尺寸小等特点。同时，单面工艺可使用廉价单抛硅片，适于低成本、大批量制造，结合更好的性能具有广阔的应用前景。 |
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