| 专利名称 | 大面积平板常压射频冷等离子体系统 | 申请号 | CN200920108533.6 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN201414256 | 公开（授权）日 | 2010.02.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王守国;张超前;赵玲利;杨景华 | 主分类号 | H05H1/46(2006.01)I | IPC主分类号 | H05H1/46(2006.01)I | 专利有效期 | 大面积平板常压射频冷等离子体系统 至大面积平板常压射频冷等离子体系统 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种大面积平板常压射频冷等离子体系统，包括一 外壳、射频电源、供气源、等离子体发生器、温度控制系统和支架；在一 个外壳内，有两个表面彼此平行且相互绝缘的电极，一个与射频电源连接 叫射频电极，另一个与地连接叫地电极；在该射频电极和该地电极之间形 成等离子体的放电区间；在该放电区间的两侧和一端设有绝缘材料，该两 侧的绝缘材料使两个电极位置相对固定并使电极两侧对外密封，在一端的 绝缘材料上开设有通气孔，该通气孔通过进气导管与供气源连接；在该两 个电极的另一端开设有长条形的开口，通过该开口可以输送基片进入等离 子体的放电区间或从放电区间中取出基片；在地电极的底部设有一个加热 器来调节地电极上的温度。 |
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