| 专利名称 | 高压二氧化碳超临界旋涂成膜系统 | 申请号 | CN200820124294.9 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN201342395 | 公开（授权）日 | 2009.11.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 景玉鹏;惠瑜 | 主分类号 | B05C9/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B05C9/00(2006.01)I;B05C11/08(2006.01)I;B05D3/02(2006.01)I;C23C26/00(2006.01)I | 专利有效期 | 高压二氧化碳超临界旋涂成膜系统 至高压二氧化碳超临界旋涂成膜系统 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种高压二氧化碳超临界旋涂成膜系统，属于微电子机械设备 领域。所述系统包括密封的成膜腔，在所述成膜腔内设置有真空吸盘，所述真空吸盘 与旋转马达的转子相连接；在所述成膜腔内部还设置有加热装置；所述成膜腔通过管 路分别与外部二氧化碳钢瓶、反应气体钢瓶以及成膜液体罐相连通；此外，所述成膜 腔还连接有与外部连通的排气管。此系统可以制备各种可以旋涂成膜的薄膜以及化学 反应成膜。利用二氧化碳超临界流体的特殊性质，可以实现薄膜生长的应力可调。通 过对压力和转速的控制，实现膜厚可控。该设备的发明解决了在MEMS工艺薄膜制备过 程中残余应力大，薄厚膜制备困难等问题，可以大大推动MEMS工艺的发展。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
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