| 专利名称 | 一种高密度大面积等离子体片产生装置 | 申请号 | CN200820124516.7 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN201336769 | 公开（授权）日 | 2009.10.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院空间科学与应用研究中心 | 发明（设计）人 | 程芝峰;徐跃民;孙海龙;吴逢时;丁亮;王之江;孙简 | 主分类号 | H05H1/40(2006.01)I | IPC主分类号 | H05H1/40(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高密度大面积等离子体片产生装置 至一种高密度大面积等离子体片产生装置 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种高密度大面积等离子体片产生装置，包括：外壳(12)、 外壳(12)内部为真空腔体、与外壳(12)同轴放置的亥姆霍兹线圈(11)、位于外 壳(12)内的阴极(9)及位于外壳(12)内、与阴极(9)相对的阳极(10)；阴极 (9)采用沿轴向开口的空心金属管结构，其开口方向与阳极(10)相对，阴极(9) 与阳极(10)平行设置。本装置采用磁约束线形空心阴极放电方式产生高密度大面 积的等离子体片，具有空心阴极增强等离子体密度的作用，使阴阳电极间形成均匀 的、密度在1012cm-3以上、几何尺寸在60cm×60cm以上、厚度维持在2cm左右的 等离子体片(13)。大面积高密度的等离子体在材料表面处理，等离子体与电磁波相 互作用的研究等方面有巨大优势。 |
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