| 专利名称 | 双室磁控与离子束复合溅射沉积系统 | 申请号 | CN200820219584.1 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN201292399 | 公开（授权）日 | 2009.08.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 | 发明（设计）人 | 郭东民;佟辉;冯彬;刘大为;鲁向群;金振奎;刘丽华 | 主分类号 | C23C14/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/22(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/48(2006.01)I | 专利有效期 | 双室磁控与离子束复合溅射沉积系统 至双室磁控与离子束复合溅射沉积系统 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型公开一种双室磁控与离子束复合溅射沉积系统，由磁控室、离子 束室、磁控溅射靶、基片水冷加热公转台、Kaufman离子枪、四工位转靶、磁力 送样机构、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。 磁控室和离子束室均为立式圆筒型，电动上掀盖结构，两个真空室下面各安装 一套抽气系统，通过磁力送样机构实现两个真空室基片的交接。该系统磁控溅 射和离子束溅射可以在两个独立的真空室同时进行，并且可以互作基片预处理 室，而且取放基片和更换磁控靶靶材的工作都可以在磁控室进行，这样离子束 室可以长时间保持超高真空。 |
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