| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201110329579.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103077919A | 公开（授权）日 | 2013.05.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 梁擎擎;罗军;钟汇才;赵超;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供超薄SOI衬底以及超薄SOI衬底的顶层硅上的栅区；在栅区两侧的顶层硅中形成至少暴露栅区下的顶层硅的侧壁的开口；在所述开口中、栅区下的顶层硅的侧壁上形成金属硅化物层；以金属材料填充所述开口，形成源漏区。通过在栅区下的顶层硅侧壁形成金属硅化物减小沟道的寄生电阻，此外，填充金属材料形成源漏区加强了对沟道的应力作用，更进一步提高了器件的性能。 |
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