| 专利名称 | 基于硅-分子复合体系单分子负微分电阻器件及制备方法 | 申请号 | CN201310020439.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103094478A | 公开（授权）日 | 2013.05.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 张汇;王炜华;纪永飞;王兵;侯建国 | 主分类号 | H01L47/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L47/00(2006.01)I | 专利有效期 | 基于硅-分子复合体系单分子负微分电阻器件及制备方法 至基于硅-分子复合体系单分子负微分电阻器件及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于硅-分子复合体系的单分子负微分电阻效应器件，是一种利用钴酞菁分子中的二价钴离子dz2轨道的态密度和R3-银/硅表面的S1表面态之间的共振所制备出来的一种单分子器件，其包括：源极、漏极、栅极、钴酞菁分子和隧穿层，其中：单个钴酞菁分子位于所述源极和所述漏极之间，所述钴酞菁分子的平面与所述源极和所述漏极之间的连线垂直，所述钴酞菁分子中的钴离子与所述源极接触；所述漏极与所述钴酞菁分子之间设有隧穿层。本发明同时还提供一种制备上述单分子负微分电阻效应器件的方法。该分子器件的负微分电阻效应很稳定，与衬底的掺杂种类和掺杂浓度无关，且该分子器件体积小，性能高，可以广泛应用在今后基于纳米材料的电子线路中。 |
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