| 专利名称 | 双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法 | 申请号 | CN201310028764.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103091778A | 公开（授权）日 | 2013.05.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 姚丹阳;张锦川;闫方亮;刘俊岐;王利军;刘峰奇;王占国 | 主分类号 | G02B6/13(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B6/13(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;H01S5/12(2006.01)I | 专利有效期 | 双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法 至双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种采用双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法，包括如下步骤：步骤1：在半导体衬底上依次外延生长下波导层、下光限制层、激光器有源区和上光限制层，获得有光限制层结构的量子级联激光器外延芯片；步骤2：对外延芯片进行清洗；步骤3：在外延芯片表面均匀涂光刻胶；步骤4：采用全息曝光的方法，对光刻胶进行相应剂量和不同台面夹角的两次曝光；步骤5：对曝光处理后的外延芯片进行显影定形，得到光刻胶光栅图形；步骤6：将外延芯片进行坚膜处理，然后利用等离子去胶机去除残留的光刻胶；步骤7：以光刻胶光栅图形为掩膜腐蚀外延芯片，将光栅图形转移至光限制层上；步骤8：利用有机溶剂清洗掉光刻胶光栅图形，制备出双周期光栅，完成制备。 |
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