| 专利名称 | Zn2(VO4)(IO3)晶体及其制备方法和用途 | 申请号 | CN201210526517.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103043614A | 公开（授权）日 | 2013.04.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 毛江高;杨冰苹 | 主分类号 | C01B11/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B11/22(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I;G02F1/37(2006.01)I | 专利有效期 | Zn2(VO4)(IO3)晶体及其制备方法和用途 至Zn2(VO4)(IO3)晶体及其制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及非线性光学晶体Zn2(VO4)(IO3)及其制备方法和用途。该化合物属于单斜晶系，空间群为Pc，晶胞参数为a?=?5.2714(8)??，?b?=?10.040(1)??，c?=?5.5070(8)??，β?=?101.32(1)??，Z?=?2，晶胞体积为V?=?285.79(7)??3。采用水热法制备。化合物Zn2(VO4)(IO3)的粉末倍频(SHG)系数为KDP(KH2PO4)的6倍。 |
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