| 专利名称 | 晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制备及检测装置 | 申请号 | CN200820055759.X | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN201165564 | 公开（授权）日 | 2008.12.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 楼祺洪;袁志军;周军;董景星;魏运荣;赵宏明 | 主分类号 | C30B29/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/06(2006.01)I;C30B28/02(2006.01)I | 专利有效期 | 晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制备及检测装置 至晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制备及检测装置 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制备及检测装置，其特点是由激光源、 分光器、光束整形系统、多晶硅薄膜基片、光学聚焦系统、受激拉曼光谱接 收系统、拉曼数据分析并反馈系统和移动工作台组成，本实用新型可以为多 晶硅薄膜的制备的同时进行在线检测，为多晶硅薄膜的制备提供最佳的能量 密度，所述的检测为非破坏性测试，具有测试成本低、检测快捷等优点；更 重要的是，本装置可以精确地检测多晶硅薄膜的粒度，提高优良率并增加产 能。适用于产业化多晶硅薄膜的制备和实时检测，可精确检测晶粒大小并对 激光能量密度实时监控。 |
1、源头对接，价格透明
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